磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料.外观:橙红色透明晶体.磷化镓是-种由iia族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的I-V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447+0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV,间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙m- V族化合物半导体(如GaAs、InP)相同, 可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。
GaP晶体具有室温下的禁带宽度高，在太赫兹波段的吸收率低，相变压高等优点。<110>晶向的GAP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11 THz。通常可探测的频谱宽度在0.1~6.5THz，是非常有潜力的THz辐射源和探测电光晶体。GaP晶体良好的光学参数，有利于太赫兹波在其中的有效传输。