HgGa2S4晶体
高损伤阈值和高转换效率使HgGa2S4(HGS)非线性晶体非常适用于1~10μm波段的二倍频以及OPO/OPA。对于 4 mm 长的 HgGa2S4 元件,CO2 激光辐射的倍频效率约为10%(脉冲持续时间30ns,辐射功率密度60MW/cm2)
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HgGa2S4晶体,简称HGS晶体,是一种非常优异的非线性光学晶体, 非线性系数高(d36 约为AGS晶体的1.8倍),透光范围宽(0.55-13μm),双折射系数大,损伤阈值高,非常适用于1-10μm波段 的二倍频以及OPO、OPA。尽管HgGa2S4晶体的大尺寸生长相当 困难,但其高的转换效率和宽调谐使得该晶体有望与AgGaS2、 AgGaSe2、ZnGeP2 和 GaSe 晶体竞争。



主要应用:

CO和CO2激光的二倍频;

光参量振荡OPO;

中红外波段的DFG;

中红外波段的混频