HgGa2S4晶体
高损伤阈值和高转换效率使HgGa2S4(HGS)非线性晶体非常适用于1~10μm波段的二倍频以及OPO/OPA。对于 4 mm 长的 HgGa2S4 元件,CO2 激光辐射的倍频效率约为10%(脉冲持续时间30ns,辐射功率密度60MW/cm2)
产品描述       产品参数       产品库存

高损伤阈值和高转换效率使HgGa2S4(HGS)非线性晶体非常适用于1~10μm波段的二倍频以及OPO/OPA。对于4 mm长的 HgGa2S4 元件,CO2 激光辐射的倍频效率约为 10%(脉冲持续时间30ns,辐射功率密度60MW/cm2)。尽管HGS晶体的大尺寸生长相当困难,但其高的转换效率和宽的辐射波长调谐范围使得该晶体有望与 AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2 和 GaSe 晶体竞争。



主要应用:

  • CO和CO2激光的二倍频;

  • 光参量振荡OPO;

  • 中红外波段的DFG;

  • 中红外波段的混频