独特的大口径ZGP单晶生长十分困难，在这个过程中我们攻克了许多技术壁垒，以获得更大的器件尺寸和更好的材料性能。一般来说，ZGP晶体在2090nm的吸收系数为< 0.05cm-1。凭借我们的独特生长加工工艺，我们的YS-ZGP能够在2090nm实现吸收系数< 0.02cm-1。C-ZGP(传统ZGP晶体)采用“垂直生长法”，YS-ZGP(新工艺ZGP晶体)采用“水平生长法”，水平生长这项新技术使我们能够获得具有优异性能的超大尺寸器件。YS-ZGP表现出更好的均匀性和转换效率。 该相位匹配角（54.7°）的标准膜系为AR/AR @ 2090nm+3-5um。尺寸和膜系均接受定制。