GaSe晶体
硒化镓晶体,是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。该晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V)。
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硒化镓晶体

GaSe晶体是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。该晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案,太赫兹振荡能达到41THz的宽的频域。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,可以实现对THz波的频率可选择性控制。

GaSe晶体的主要应用:

 • THZ振荡能达到非常宽的频域; 

 • 具有高的抗损伤阈值和大的非线性系数,常用于DFG长波红外; 

 • CO2激光器的二倍频效率高;

 • 可应用为太赫兹时域系统,太赫兹源晶体,中远红外气体探测,太赫兹试验光源以及太赫兹成像系统;