硒化镓晶体

GaSe( 硒化镓)晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m 空间点群，300K 时禁带宽度为2.2eV。该晶体具有抗损伤阈值高，非线性系数大(54pm/V), 宽的透明范围 (0.62-20μm)，以及超低的吸收系数等特性，使其成为中红 外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案，太赫兹振荡能达 41THz宽的频域。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于 20飞秒的激光光源，GaSe发射、探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过GaSe晶体厚度的选取，可以实现对THz波的频率的选择性控制。

GaSe晶体的主要应用：

• 具有高的抗损伤阈值和大的非线性系数，常用于差频(DFG） 产生长波红外； 

• CO2 激光器的二倍频； 

• 可应用于太赫兹时域系统，中远红外气体探测，太赫兹试 验光源、太赫兹信号探测以及太赫兹成像系统。